这款设备专为300mm（12英寸）晶圆工艺设计，可满足55nm及以下制程后段金属互联工艺应用和先进封装领域对SiCN薄膜的需求。亚汇网了解到，该设备采用旋转沉积的方式，配置有四个晶圆装载口及三个工艺腔体，每个工位完成总膜厚三分之一的沉积，各工位具备独立的射频系统，最高工艺温度可达400℃。盛美上海总经理王坚表示：首台PECVDSiCN设备的发运，是盛美上海在持续拓展工艺技术能力道路上的一个重要里程碑，该平台采用创新性的设备设计，可支持更先进的工艺需求，并为日益复杂的半导体制造及下一代器件集成提供所需的控制能力与一致性。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。
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