据报道，闪迪和铠侠已经提前展示了MSA-CBA（亚汇网注：多层堆叠单元阵列-CMOS键合）器件架构图，还带有两块218字线阵列晶圆形成的堆叠单元阵列的FIB-SEM图像。值得注意的是，铠侠早在2024年就提出了1000层3DNAND路线图。根据日媒PCWatch的说法，铠侠预计到2027年，NAND闪存密度有望达到100Gbit/mm?，同时实现1000字线3DNAND。而三星电子虽然也规划过1000层NAND路线，但最终选择更稳健的策略。该公司曾在旧金山国际固态电路大会（ISSCC）展示multi-BVNAND概念，通过将两块晶圆堆叠在两块外围晶圆上，实现1000层扩展，整体思路与铠侠的方案高度相似。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。
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