亚汇网5月23日消息，韩媒ZDNETKorea当地时间今日报道称，业内消息人士指出KIOXIA（铠侠）计划在2027年量产第十代BiCSFLASH产品，相关投资细节待到2026H2会更为明朗。这一时点晚于铠侠在BiCS8世代引入了CBA（亚汇网注：CMOS直接键合到存储阵列）架构，解耦了NAND中存储单元和外围电路的制造。该企业基于现有存储单元技术和最新CMOS技术的BiCS9产品已于去年出样。而BiCS10则将存储单元的堆叠层数提升到332层，以满足未来市场对更大容量、更高性能解决方案的需求。该闪存支持4.8Gbps的I/O接口速率，位密度相较现有的BiCS8提升59%。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。
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