[XM官网]消息称三星电子将停产 2D NAND 闪存，原有产线用于 1c nm DRAM 内存制程

三星电子早在2013年就实现了3DNAND(V-NAND)的量产，不过在2D→3D的过渡期后，三星还是保留了小规模的2DNAND产能以应对特殊利基市场的需求。▲三星电子早期2DNAND产品图源：三星半导体官网华城12号生产线未来将服务于1cnmDRAM内存制造，负责后端的金属布线和表面处理工艺，与同在华城园区的1cnm前端生产线实现协力。除在华城的DRAM制程升级外，三星还在平泽园区大力扩展1cnmDRAM内存产能。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。