[XM官网]美光确认 HBM4E 基于 1γ DRAM，未来 1δ 工艺将使用最新 EUV 光刻设备

而在DRAM工艺开发方面，美光确认将引入第7代10nm级工艺1δ(1-delta)。该节点的EUV光刻使用量将更高，为此美光计划为其导入最新一代的EUV光刻设备（亚汇网注：这里应指HighNAEUV），以优化洁净室空间效率和图案化表现。美光正从传统的LTA长期协议转向包含多年具体承诺的SCA战略客户协议，首份五年期SCA已经签署。这种模式为美光提供更好的业务可见性与稳定性，同时也给予客户更大的确定性，深化双方的长期合作。美光预测全球整体的DRAM和NAND供应规模将在2026日历年增长20%左右，PC和智能手机的出货量可能会有一成出头的下滑。该企业提升了本财年的资本支出规模，以满足晶圆厂洁净室建设的需求。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。